中国科学院重庆绿色智能技术研究院机构知识库

本发明涉及一种基于常压化学气相沉积的大面积单层二硫化钨薄膜的制备方法和产品，制备过程包括SiO₂/Si衬底清洗、旋涂WO₃无水乙醇分散液、衬底烘干处理、样品放置和二硫化钨薄膜生长，该方法通过旋涂WO₃无水乙醇分散液使WO₃前驱体均匀分散于衬底上，并在石英管生长腔室内放置单端封闭的小口径石英管，有效地控制S粉末和WO₃前驱体参与成核和薄膜生长过程的用量，制得的二硫化钨薄膜面积大，呈单层，且尺寸大，该方法还具有快速，可重复的优点，对大面积单层二硫化钨薄膜的制备具有重要意义。