KMS Chongqing Institute of Green and Intelligent Technology, CAS
基于黑硅和量子点的Si-APD光电探测器 | |
陆文强; 张昆; 付勰; 康帅; 冯双龙 | |
2020-06-05 | |
摘要 | 本实用新型公开了一种基于黑硅和量子点的Si‑APD光电探测器,所述Si‑APD光电探测器包括本征Si衬底(1)、位于本征Si衬底(1)中心上方的P区(2)、位于本征Si衬底(1)两侧上方保护环区即N区(3)、位于P区(2)上方的N+区(4)、位于N+区(4)上方的N+黑硅层(5)。本实用新型以覆盖了量子点的黑硅层作为光敏层,利用其高的红外吸收特性,解决了传统Si‑APD光电探测器无法响应近红外波段或者近红外响应度低等问题;本实用新型能够吸收近红外波段光波,具有光谱响应宽,响应度高,过噪声小,成本低,易于加工等优点。 |
专利类型 | 实用新型 |
语种 | 中文 |