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一种基于电击穿在氮化硅薄膜上精确制备纳米孔的方法 专利
专利类型: 发明专利, 专利号: 2015107499886, 申请日期: 2015-11-06,
发明人:  王德强;  应翠凤;  黄绮梦;  张月川;  冯艳晓
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