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中国科学院重庆绿色智能技术研究院机构知识库
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Dopant Induced Impurity Bands and Carrier Concentration Control for Thermoelectric Enhancement in p-Type Cr2Ge2Te6
期刊论文
CHEMISTRY OF MATERIALS, 2017, 卷号: 29, 期号: 17, 页码: 7401-7407
作者:
Tang, Xiaodan
;
Fang, Dengdong
;
Peng, Kunling
;
Yang, Dingfeng
;
Guo, Lijie
;
Lu, Xu
;
Dai, Jiyan
;
Wang, Guoyu
;
Liu, Huijun
;
Zhou, Xiaoyuan
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提交时间:2018/03/05